218层，Kioxia推出世界上最快的3D NAND闪存

Kioxia 和 Western Digital透露了 他们共同开发的具有 218 个有源层的第 8 代 BiCS 3D NAND 存储设备。新 IC 拥有创纪录的 3200 MT/s 接口速度，这将使开发人员能够使用更少的 3D NAND 芯片构建高性能存储子系统（例如业界最快的客户 端 SSD ）。据相关人士透露，为了实现 3200 MT/s I/O，两家公司借鉴了 YMTC 的 Xtacking 技术。

本周推出的第一款第 8 代 BiCS 3D TLC NAND 设备具有 1Tb (128GB) 容量、可最大化内部并行性和性能的四平面架构以及 3200 MT/s 的接口速度（这将提供峰值顺序读/写400 MB/s 的速度）。Kioxia 和 Western Digital 是全球首批推出具有 3200 MT/s I/O 闪存 IC 的 3D NAND 制造商，领先竞争对手 33%。

但是，虽然构建世界上最快的 3D NAND 存储设备本身就是一项成就，但有趣的是这两家公司是如何实现这一目标的。Kioxia 和西部数据的第 8 代 BiCS 3D NAND 内存采用称为 CBA（CMOS 直接键合到阵列）的创新架构，类似于长江存储公认的 Xtacking。

通常，3D NAND 单元阵列位于其外围电路（如页面缓冲器、感测放大器、电荷泵和 I/O）旁边或之上。同时，从半导体制造的角度来看，使用相同的制造技术制造存储器和外围逻辑并不完全有效。CBA 和 Xtacking 架构涉及使用最佳生产节点在单独的晶圆上生产 3D NAND 单元阵列和 I/O CMOS，这使其能够最大限度地提高存储阵列的位密度和 I/O 性能。

除了业界最快的 I/O 外，Kioxia 和 Western Digital 声称他们最新的 3D NAND IC 还拥有业界最高的位密度，但没有详细说明我们正在研究的位密度。同时，值得注意的是，引入的第 8 代 BiCS 3D TLC NAND 可以在 3D TLC 和 3D QLC 模式下工作，因此可以解决高性能/大容量的高级客户端和企业级 SSD 以及便宜但快速的驱动器客户端 PC 或高密度数据中心级存储应用程序。

Kioxia 表示，它已经开始向一些选定的客户提供其第 8 代 BiCS 3D NAND 存储设备的样品。但是，该公司尚未提供有关开始大批量生产其最新闪存的时间表的任何信息。由于闪存和 SSD 控制器的制造商需要很长时间才能将前者与后者配对，因此 NAND 生产商通常会在量产开始之前就展示新型存储器。也就是说，预计第 8 代 BiCS 3D NAND 将在 2024 年的某个时候上市，尽管我们在此进行推测。

“通过我们独特的工程合作伙伴关系，我们成功推出了具有业界最高位密度的第八代 BiCS 闪存，”Kioxia Corporation 首席技术官 Masaki Momodomi 说。“我很高兴 Kioxia 已经开始为有限的客户出货样品。通过应用 CBA 技术和扩展创新，我们改进了我们的 3D 闪存技术组合，用于各种以数据为中心的应用，包括智能手机、物联网设备和数据中心。”

为展示先进闪存技术的持续创新，铠侠株式会社与西部数据公司(纳斯达克：WDC)今日发布了他们最新的3D闪存技术的细节，该技术目前正在备产中。该3D闪存采用先进的微缩和晶圆键合技术，不仅成本上极具吸引力，同时还提供卓越的容量、性能和可靠性，因而成为满足众多市场中指数级数据增长需求的理想选择。

“新的3D闪存展示了我们与铠侠强大的合作关系以及我们在3D NAND领域的联合创新领导地位。”西部数据技术与战略高级副总裁Alper Ilkbahar说，“通过共同的研发路线图与持续的研发投资，我们能够提前推动该基本技术的发展，以生产高性能、高资本效益的产品。”

通过引入各种独特的工艺与架构，实现持续的横向微缩，铠侠与西部数据降低了成本。这种垂直与横向微缩之间的平衡在更小的芯片中产生更大的容量，在优化成本的同时减少了层数。两家公司还开发了突破性的CBA(CMOS直接键合到阵列)技术，其中CMOS晶圆和存储单元阵列晶圆在优化状态下单独制造，然后键合在一起，以提供更高的千兆字节(GB)密度和快速NAND I/O速度。

“我们通过独特的工程合作关系，成功推出了业界最高位密度1的第八代BiCS FLASH™”，铠侠的首席技术官Masaki Momodomi说，“我很高兴看到，铠侠为部分客户提供的样品已开始发货。通过CBA技术与微缩创新，在一系列以数据为中心的应用中，我们进一步推动了3D闪存技术的产品组合，包括智能手机，物联网设备和数据中心。”

218层的3D闪存采用创新的横向微缩技术，为4平面(Plane)的1Tb三层存储单元(TLC)和四层存储单元(QLC)，带来超过50%的位密度提升。其高速NAND I/O速度超过3.2GB/s，比上一代产品提高了60%，同时在写入性能和读延迟方面的改善超过了20%，将加速用户的整体性能、可用性。

*免责声明：本文由作者原创。文章内容系作者个人观点，半导体行业观察转载仅为了传达一种不同的观点，不代表半导体行业观察对该观点赞同或支持，如果有任何异议，欢迎联系半导体行业观察。

今天是《半导体行业观察》为您分享的第3358内容，欢迎关注。