存储大厂，有了好消息

半导体市况改善，日本NAND型快闪记忆体(Flash Memory)大厂铠侠(Kioxia)传出将调整减产措施、稼动率(产能利用率)预估将在3月回升至9成左右水准。

共同通信报导，因恶化的半导体市况呈现改善，因此铠侠将调整自2022年开始实施的NAND Flash减产措施、提高产量。据关系人士指出，视实际需求而定、稼动率预估会在2024年3月回升至9成左右水准。

报导指出，受需求下滑影响，铠侠北上工厂(岩手县北上市)和四日市工厂(三重县四日市市)自2022年10月起实施减产约3成的措施，而2023年也受市况低迷影响、持续进行减产，不过当前半导体市况已呈现复苏。

世界半导体贸易统计协会(WSTS)2023年11月28日公布预测报告指出，因生成式AI普及、带动相关半导体产品需求急增，且记忆体需求预估将呈现大幅复苏，因此2024年全球半导体销售额预估将年增13.1%至5,883.64亿美元，将超越2022年的5,740.84亿美元、创下历史新高纪录。其中，记忆体(Memory)销售额预估将年增44.8%至1,297.68亿美元。

铠侠2月9日公布财报资料指出，上季(2023年10-12月)NAND Flash售价(以日圆计算)较上上季(2023年7-9月)扬升10-14%、为连续第2季呈现上涨；上季NAND Flash出货量呈现持平(上上季为季减10-14%)。铠侠表示，上季以美元计算的售价季增5-9%。

今年度前三季(2023年4-12月)、铠侠净损额达2,540亿日圆，净损额创铠侠前身「东芝记忆体」于2017年4月上路来同期历史新高纪录。

时事通信社报导，SK海力士据悉已向铠侠释出合作案、希望在日本生产需求急增的生成式AI用「高频宽记忆体(HBM)」，预估将利用铠侠和美国威腾电子(WD、Western Digital)共同营运的日本工厂进行生产，而铠侠将根据半导体市况以及和威腾之间的关系来评估上述合作提案。

报导指出，HBM为DRAM的一种、主要使用于生成式AI伺服器等用途，以辉达(Nvidia)为首、全球HBM需求急增，而SK海力士握有全球顶尖市占率。对SK海力士来说，若能活用位于日本岩手县北上市、三重县四日市市的铠侠现有工厂生产HBM的话，将能迅速建立增产体制；另一方面，铠侠、威腾共同营运的日本工厂目前仅生产NAND Flsah，而之后若能生产最先进DRAM的话、也有助于日本半导体产业复兴计划。

今天是《半导体行业观察》为您分享的第3694期内容，欢迎关注。

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