如何看待特斯拉减少碳化硅用量

第三代半导体近几年来一直很火，从氮化镓到碳化硅，备受追捧。

新的产业，新的应用，市场前景有目共睹。但最近特斯拉传出消息，车用碳化硅将减少75%的用量，引发国内行业巨震。

不想踩热点，不愿随大流，客观理性来看待特斯拉减少75%碳化硅用量。写本文的目的不是做分析和结论，更多是提供一些信息和数据供大家参考。

特斯拉在Model 3中开创了使用碳化硅的先河，并看到了比许多竞争对手更高效的好处。然而，随着其他人赶上特斯拉，成本变得越来越重要。

与竞争对手相比，特斯拉逆变器规格过高。虽然特斯拉允许“狂暴模式/Ludicrous mode”这样的功能/特性，但它是以额外的 SiC 为代价的，只有一小部分客户实际使用。这一点尤其重要，因为有迹象表明这将在他们新的低成本平台上改变，该平台可能不需要相同的功率水平。

当特斯拉推出时，这项技术是新技术，长期可靠性和稳定性是未知的，因此对逆变器进行高额定值可以降低这种风险。可靠性和稳定性现在得到了更好的理解，因此不再以同样的方式存在风险，并且允许更适当的系统规模调整。

此外，所有SiC 制造商都在提高其器件的电流容量，同时减小芯片尺寸，转向下一代技术是显而易见的事情。

这也可能表明特斯拉可能转向 800V 架构。与 400V 架构相比，800V 架构的裸片更少。

因此，“特斯拉将碳化硅含量减少75%”是对该行业近年来取得的进展以其能力的展示，甚至意味着特斯拉在汽车动力传动系统中占据主导地位。

目前比较明确的说法是特斯拉将采用硅基IGBT+碳化硅替代之前的碳化硅，从而减少75%的用量。车用碳化硅，主要是MOSFET，少量Diode。第三代半导体碳化硅60%~70%应用在新能源车。

这里也分享一下New Streat Research 的说法：我们了解到新动力传动系统的逆变器将采用混合 SiC MOSFET 和硅基IGBT的混合架构。基本设计原则是大部分时间仅运行SiC MOSFET，并且仅在峰值负载（加速）时将它们与 IGBT 组合，从而在大多数时间受益于碳化硅的更高效率。这种混合架构仅适用于新平台，即低成本、小型、性能较低的汽车。

特斯拉model3采用24个模组有图为证，芯片大小是systemplus 逆向分析的结果。

从而推算出下面这张表格，假定良率是50%、60%、70%、80%，分别对应于一张6英寸碳化硅晶圆可以满足特斯拉7.3台车、8.7台车、10.2台车、11.7台车。

来源：钟林谈芯

换一张图来做说明：假设芯片大小不变只有良率上升，紫色线假设芯片的平均大小每年有2%的递减，可以看出来在一台特斯拉车上总体趋势是衬底的用量越来越小。

根据之前Yole的预测，碳化硅衬底的出货量在未来将大幅增长。不管如何，即使所有的新能源车跟随特斯拉减少碳化硅的用量，碳化硅衬底的出货量在未来仍然是增长的。

科技不断变化，科技充满希望。科技的发展存在未知性，我们无法预料在不断变化的过程中科技最终会发展成什么样，但是可以坚信，科技正在让我们的生活更美好。

回复 投稿，看《如何成为“半导体行业观察”的一员 》

回复 搜索，还能轻松找到其他你感兴趣的文章！