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慧智微:自主研发突破海外巨头壁垒,深化布局5G赛道抢占市场先机

慧智微:自主研发突破海外巨头壁垒,深化布局5G赛道抢占市场先机

公众号新闻


5月16日,广州慧智微电子股份有限公司(股票代码:688512 简称:慧智微)在上海科创板上市,据悉,慧智微是目前国内主要的射频前端公司,专注于射频前端芯片及集成化模组的设计研发,公司以射频功率放大器PA芯片为核心,已经衍生出低噪声放大器(LNA)、射频开关(Switch)、集成无源器件滤波器(IPD Filter)、控制及系统级封装等方面的设计技术,具有高集成射频模组研发能力,下游广泛应用于智能手机、物联网等领域。

深度布局无线通信核心模块
5G新频段产品出货量排名领先

射频前端RFFE(RF Front End)是天线与射频收发芯片的必经之路,它负责无线电磁波信号的发送和接收,是智能手机、平板电脑等移动终端设备实现蜂窝网络连接、Wi-Fi、蓝牙、GPS等无线通信功能所必需的核心模块。据Mobile Experts数据,2020 年全球射频前端行业规模达到 157.08 亿美元,市场广阔。


通常情况下,射频前端芯片包含功率放大器(PA)、滤波器(Filter)、双工器或多工器(Duplexer或Multiplexer)、低噪声放大器(LNA)、开关(Switch)、天线调谐模块(ASM)等器件,慧智微产品主要聚焦于射频功率放大器PA芯片。

公司采用Fabless模式,产品系列覆盖的通信频段需求包括 2G、3G、4G、3GHz 以下的 5G 重耕频段、3GHz~6GHz 的5G新频段等。基于长期的经验积累和前瞻的技术研发,2020年,慧智微在国产厂商中率先大规模量产5G L-PAMiF产品,该产品2021年出货量达1132.33万颗,在国产厂商中市占率排名第二。

以此为基础,慧智微进一步深耕5G射频前端产品线,陆续推出支持n77/n78/n79 频段的 1T2R(集成 1 路发射通路、2 路接收通路)L-PAMiF、支持n77/n78 频段的 1T1R/1T2R L-PAMiF 以及支持相应频段的接收模组 L-FEM。

凭借5G新频段产品的口碑和技术沉淀,慧智微赢得了多个头部客户的认可,公司的射频前端模组已经在三星全球畅销系列 A22 5G 手机和 OPPO、vivo、荣耀等智能手机机型中实现大规模量产,并进入闻泰科技、华勤通讯和龙旗科技等一线移动终端设备ODM厂商,形成了良好的品牌效应,带动公司实现良性长期发展。


自研可重构射频前端平台
“绝缘硅+砷化镓”铸造竞争壁垒

射频前端芯片设计复杂,技术门槛高,其中又以PA与滤波器为最。传统PA芯片生产领域,国际射频前端龙头企业主要采用全砷化镓功率放大器结合体硅控制器的宽带设计架构,如果新进企业采用固有的技术跟随和产品模仿策略,则需要多次设计迭代找到最优设计方案,同时全球产能供应有限,成本较高,严重依赖规模效应,为国产厂商设置了较大的专利门槛、规模门槛和成本门槛。

为此,慧智微积极加大研发投入,2020年至2022年,公司累计研发投入48,905.65万元,占营业收入的比例为45.37%。凭借突出的技术研发能力,公司将绝缘硅引入到PA芯片领域并成功商用,掌握高频模拟信号智能调控的实现路径,形成了自主的可重构射频前端架构,突破国际巨头的专利壁垒,并将其拓展到LNA、IPD 滤波器等领域。目前,公司可重构射频前端架构的相关产品累计出货已经超过1亿颗。

近年来,伴随着通信制式从2G向5G演进,射频芯片数量急剧增加,而智能手机的空间布局和成本预算有限,对射频前端的集成度要求越来越高,设计难度指数化提升。慧智微前瞻性预判到产业发展趋势,致力于创新射频前端架构,提出了拥有完全自主知识产权的 AgiPAM®️可重构射频前端平台,采用基于“绝缘硅(SOI)+砷化镓 (GaAs)”两种材料体系的可重构射频前端技术路线,通过数字定义可配置射频通路的技术方案,大幅提升射频前端的集成度,有效平衡了射频前端的性能和成本。经中国通信学会认定,公司的“SOI 和 GaAs 的 SiP 架构的可重构射频前端芯片技术”处于国际领先水平。

除此之外,通过持续深耕研发,慧智微已在射频前端领域构筑了完整的专利池,据招股书披露,截至 2022年12月31日,公司已获取境内发明专利 66 项,境外发明专利25项,为公司走向国际市场、参与全球化竞争提供了有利条件。

射频前端市场规模快速增长
5G叠加国产化带来新挑战和新机遇

从全球来看,射频前端市场增长稳定,且射频前端市场集中度极高,美国的思佳讯(Skyworks)、博通(Broadcom)、威讯联合半导体(Qorvo)、高通(Qualcomm)和日本的村田(Murata)五家厂商的产品在2021年和2022年占据了超过80%的市场份额。

中国射频前端行业整体起步较晚,与国际先进水平仍存在一定的差距,但随着国内市场需求不断增长、国家对集成电路产业日益重视,我国射频前端产业发展步入快轨。

一方面,随着本土智能手机品牌的崛起和本土制造能力的提升,众多国产智能手机厂商开始寻求降低器件成本、供应链自主可控和更优的服务支持,对上游核心元器件的国产化需求不断上升,从而使得更多射频前端企业获得产品导入、持续迭代的应用机会,推动国产射频前端公司的产品性能持续优化,收入规模持续提升。

另一方面,随着通信制式的不断演进,智能手机需同时兼容 2G、3G、4G 和 5G,技术难度不断提升,推动射频前端器件的用量和价值不断提升。随着5G通信的快速普及,根据 Yole预测,全球移动设备的射频前端市场规模将从 2019 年的 124.04 亿美元增长到 2026 年的216.70 亿美元,年均复合增长率约为 8.3%,高于半导体行业的平均增长速度。其中PA模组预计到 2026 年的年复合增长率约为 7.8%,将保持第一大细分领域的市场地位。


除此之外,5G 通信对射频前端的集成度要求也更高,为满足5G 通信需求,射频前端器件的数量大幅上升,在智能手机空间受限下无法采用分立方案,且采用分立方案将带来较长的终端调试周期和调试成本。因此,在5G 新频段领域一般采用 L-PAMiF、L-FEM 等模组形式。

而随着 5G 基础设施不断完善,更高性能的物联需求将不断得以满足,形成5G+4G 协同发展的物联网通信技术格局,需求侧成为拉动物联网的主力,也对无线通信的速率、时延、稳定性等提出了更高的要求,进而催生出更加先进的射频连接解决方案。

慧智微多年来深度布局5G射频前端产品线,在4GPA模组、5G射频前端模组领域均具备较强的竞争力,其中在5GPA模组领域已初步具备国际竞争力。与此同时,公司还在不断加强与物联网领域头部客户的合作,在4G物联网射频前端模组领域的市场占有率较高,5G新频段领域也处于持续拓展中。

得益于此,2020至2022 年,公司综合主营业务毛利率分别为 6.69%、16.19%和17.97%,总体呈不断上升趋势,相信随着慧智微在5G射频前端领域持续保持领先地位,公司盈利能力有望进一步得到释放。

募投项目助力技术迭代
拓展规模加快完善产业链布局

前沿通信技术的发展带动射频前端器件的用量和价值不断增加,下游无线连接终端需求增长,又推动了我国射频前端行业规模持续扩张。为抓住行业增长机遇,慧智微本次登陆资本市场拟募集资金150,418.78万元,主要用于芯片测试中心建设项目、总部基地及研发中心建设项目以及补充流动资金。

其中,芯片测试中心建设项目的实施将有利于完善慧智微的产业链布局,大幅提升公司的产品研发和量产速度,夯实公司的核心竞争力。随着总部基地及研发中心建设项目的完工,公司首先将可重构射频前端架构进行迭代升级,实现多个射频前端的需求场景,同时在5G毫米波、Wi-Fi射频前端方面进行产品多元化,打造更为全面丰富产品矩阵,增强公司在射频前端领域的市场竞争力。

作为目前国内具有较强自主研发能力和技术优势的射频前端厂商,慧智微也将抓住国产替代、5G、物联网等多重发展机遇,不断推进可重构射频前端架构的迭代升级,拓展 L-PAMiD、PAMiD 等更高门槛的产品系列,开拓高端客户的业务机会,持续跟进射频前端技术迭代,做大做强,在提升自身行业地位的同时,助推射频前端产品国产化进程。

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