台积电为苹果及英伟达试产2纳米芯片

据外媒报道，全球晶圆代工龙头台积电不但已开始开发2纳米制程，拉大了与竞争对手的差距，而且台积电最近也开始准备为Apple和英伟达（NVIDIA）开始试产2纳米产品。另外，为了开发2纳米制程技术，台积电将派遣约1000名研发人员前往位在竹科，目前正在建设中的Fab 20晶圆厂工作。

外媒Patently apple报道指出，三星电子于2022年6月采用GAA技术开始量产3纳米制成芯片，比台积电提前6个月，成为全球首家量产该制程技术的企业。而受到三星先发制人的冲击，台积电高层多次公开2纳米制程技术的发展计划，形成先进制程发展竞赛。

除了台积电之外，先前宣布计划在2021年重新进入晶圆代工业务的处理器大厂英特尔（Intel）也加入了先进制程研发竞赛。 这家美国半导体大厂在当地时间6月1日的线上活动中公布其芯片背面电源解决方案PowerVia的技术发展、测试数据和路线图，开始扩大其在晶圆代工产业的影响力。据报道，当前的台积电还在开发芯片背面供电的技术，目标是到 2026 年使用该技术。

此外，英特尔设定了一个目标，就是在2024年下半年将其代工技术推进到1.8纳米的节点。3月，该公司制定了一项计划，就是藉由与ARM建立合作伙伴关系，达成1.8纳米制程技术的量产。不过，市场人士也存在一些不确定看法，认为即使英特尔按照路线图取得成功，但最终要达到收支平衡，对公司来说仍是一个很大的挑战。

报道还说明了台积电另一竞争对手三星的情况，就是三星DS部门总裁Kyung Kye-hyun于5月初的一次演讲中表示，三星计划超越台积电，目标就是从比台积电更早使用GAA技术的2纳米制程开始。

事实上，台积电除了先进制程之外，也透过先进封装技术来维持技术的领先。不久前，台积电就宣布先进封测六厂启用正式启用，成为台积电首家达成前后端制程 3DFabric 整合一体化自动化先进封测厂和测试服务工厂。同时，也为TSMC-SoIC（系统整合芯片）制程技术的量产做准备。先进封测六厂的启用，将使台积电对SoIC、InFO、CoWoS、先进测试等各项TSMC 3DFabric先进封装与硅堆叠技术，拥有更完整及灵活的产能规划之外，也带来更高的生产良率与效能协同效应。

台积电营运/先进封装技术暨服务、品质暨可靠性副总经理何军表示，微晶片堆栈是提升芯片效能与成本效益的关键技术，因应强劲的三度集成电路市场需求，台积电已完成先进封装及矽堆叠技术产能的提前部署，透过3DFabric平台提供技术领先与满足客户需求产能，共同实现跨时代科技创新，成为客户长期信赖的重要伙伴。