千亿产值背后，无锡打造集成电路“金字招牌”

8月9日-11日，以“芯联世界 锡创未来”为主题的2023集成电路（无锡）创新发展大会在无锡隆重召开。

此次大会由无锡市人民政府、江苏省工业和信息化厅共同举办，紧扣“一会一展”，1场开幕式、1场展览展示、10场系列活动和15场生态圈活动，集聚国内外集成电路领域专家智库、产业龙头和配套生态企业，突出“专业化、市场化、品牌化”特色，为企业搭建对接交流、开放链接、合作共赢的平台。

9日上午，在大会开幕式上，汇聚了集成电路设计、制造、封测、装备材料全产业链领域，国内外领军学者、知名企业家、协会组织代表等近500位重量级嘉宾齐聚会场，围绕集成电路领域科技前沿技术、产业动态等话题展开深入交流。

江苏省副省长胡广杰、无锡市市长赵建军、工业和信息化部电子信息司副司长杨旭东发表大会致辞，充分表达了对江苏省和无锡市发展集成电路产业的肯定、期望以及下一步的发展目标与规划。

在主旨演讲环节，中国工程院许居衍、陈左宁等院士、诺贝尔奖得主康斯坦丁教授以及来自产业界的中国电科首席科学家柳滨、高通公司全球高级副总裁钱堃等多位重磅嘉宾围绕Chiplet、集成电路装备与材料产业、5G+AI等行业关键技术和产业未来发展方向分享了真知灼见。

多位重磅嘉宾主旨发言

此外，无锡国家“芯火”双创基地汽车芯片可靠性检测平台、总规模50亿元的无锡市集成电路产业专项基金、江苏省（无锡）集成电路产业融合集群等一批国家级平台、专项基金、集群试点在开幕式现场正式揭牌。

与此同时，30多个重点产业项目进行了集中签约，签约总金额超200亿元，全面支撑集成电路产业高质量发展。

代表企业重点产业项目签约仪式

综合来看，作为首届集成电路（无锡）创新发展大会，本届大会充分发挥了无锡市全产业链优势和产业底蕴深厚的独特优势，带动产业链上下游紧密协同、创新合作，有助于全面促进全市乃至全省、全国集成电路产业核心竞争力和整体发展水平提升，有力助推集成电路产业更好强链-补链-延链。 

从领导的开幕致辞，行业专家的前瞻分享，以及一系列重点项目的签约和揭牌中不难看到，集成电路产业正加速在无锡这片热土上生根发芽。

在市场化驱动、政策引导和资本力量加持下，无锡“攻芯战”版图日渐生动，引领着一批新晋科技创新企业快速成长与壮大。

作为本次创新发展大会系列活动之一，第11届(2023年)中国电子专用设备工业协会半导体设备年会暨产业链合作论坛，在无锡太湖国际博览中心同期举行。本届设备年会以高端装备等关键领域为重点，有超过380多家覆盖全产业链厂商踊跃参与，既包含北方华创、盛美半导体、中微半导体、拓荆科技、上海微电子等国内知名龙头企业，也有微导纳米、邑文科技、华瑛微电子、先导智能等无锡本地企业，全面呈现了我国集成电路产业在设备、核心部件、关键材料等方面取得的发展成果以及无锡企业在产业链关键环节的创新探索。

据统计，本次展会超6.3万人次专业观众参加，合作签约、订单项目纷至沓来，162家企业现场意向成交额达26.5亿元，有力促进了产业链上下游高效对接、大中小企业协同发展，为进一步擦亮无锡集成电路“金字招牌”赋能助力。

尤为值得关注的是，在新品发布活动中，上海微电子、盛美半导体、研微半导体、微导纳米、邑文科技、艾科瑞思等15家公司的新技术、新设备、新材料等方面创新成果和领先产品集中亮相，多角度体现了国内半导体设备前沿产品技术与趋势，展现了我国企业实现高水平科技自立自强的信心与决心。

其中，江苏微导纳米科技股份有限公司（简称“微导纳米”）携重磅新品亮相，发布了iTomic® MW系列批量式原子层沉积镀膜系统。

微导纳米iTomic® MW系列

批量式原子层沉积镀膜系统

据微导纳米副董事长、首席技术官黎微明博士介绍，新品采用创新的批量型（mini-batch）腔体设计，可一次处理25片12英寸晶圆，机台每小时的芯片产出量是单片机的6-7倍，适用于成膜镀率低，厚度要求高，以及产能要求高的关键工艺及应用。且与炉管型设备相比，微导纳米这一批量式ALD设备能够在减少颗粒度的同时，避免了芯片器件在制程中的热损伤。

同时，iTomic® MW系列产品利用其特有的流场设计，具有成膜速度快、占地面积小、产能高、使用成本低等优势，为存储芯片以及Micro-OLED显示器、MEMS等提供定制化量产的解决方案。

在半导体设备中，薄膜沉积设备与光刻设备、刻蚀设备共同构成芯片制造三大核心设备，决定了芯片制造工艺的先进程度。

近年来，受益于晶圆厂扩产、先进工艺演进、3D NAND层数增加以及芯片结构复杂度提升等需求推动，薄膜沉积设备市场持续增长。据SEMI数据预测，2024年全球薄膜设备市场规模将达到280亿美元。

薄膜制备工艺按照其成膜方法，可分为物理气相沉积（PVD）、化学气相沉积（CVD）和原子层沉积（ALD）三大类。

目前，ALD设备约占镀膜板块11%的市场份额，随着摩尔定律不断演化，ALD技术将在半导体设备中扮演越来越重要的角色，预计未来几年复合增长率高达26.3%。而CVD设备覆盖的工艺范围较广，约占镀膜板块57%的市场份额，复合增长率约为8.9%。未来，随着晶圆工艺制程的推进，CVD和ALD设备或将贡献主要增长点。

但从当前市场份额占比来看，全球薄膜沉积设备仍处于高度垄断格局，应用材料、泛林半导体、TEL、ASM等国际大厂占据主导地位。国产设备占比较低，国产替代势在必行，但任重道远。

在此现状和趋势下，以微导纳米为代表的本土设备厂商正在加快步伐，助推国产薄膜沉积设备早日突围。

微导纳米成立于2015年，多年来通过持续深耕高端薄膜沉积设备领域，已实现了多项ALD、CVD技术产业化的突破。值得关注的是，微导纳米ALD产品营收规模方面位居国内同类企业第一，多款半导体ALD设备覆盖逻辑、存储、化合物半导体、新型显示等细分应用领域，关键工艺指标已达到国际先进水平。

凭借过硬的技术实力，微导纳米的成果填补了国内多项技术空白，解决了300mm晶圆28nm制程关键核心工艺High-k栅氧层ALD薄膜沉积这一难题，实现了国产ALD设备“从0到1”的突破，并荣获中国“半导体创新产品”奖，是国家专精特新“小巨人”企业的杰出代表。

2022年12月23日，微导纳米成功登陆科创板，成为国内ALD设备“第一股”，也是无锡首家上市的集成电路前道工艺装备企业，在资本市场迎来了全新突破。

在保持ALD产品市场竞争力和占有率的同时，微导纳米还推出CVD薄膜沉积设备，进一步打开行业发展空间，奠定了公司以ALD技术为核心，CVD等多种真空薄膜技术梯度发展的战略定位，助力半导体产业国产化进程加速。

而本次新产品的发布，标志着微导纳米在半导体薄膜沉积领域取得又一新突破，也是公司多元化布局激活增长新动能的关键一步。

对于未来发展规划，黎微明博士指出，微导纳米将持续围绕市场需求，深化自主创新，加快核心技术攻关，进一步拓展并薄膜沉积技术的应用领域，推动高端技术装备的国产化、产业化，力争成为世界级的微纳制造装备领军企业。

同样在半导体前道设备领域，无锡邑文微电子科技股份有限公司（简称“邑文科技”）作为本土优质厂商，也在积极布局。

邑文科技镀膜事业部总经理刘丹在接受半导体行业观察采访时表示，2011年，邑文科技在无锡成立，主营产品刻蚀工艺设备和薄膜沉积工艺设备，应用于半导体前道工艺阶段，尤其是化合物半导体和MEMS等特色工艺领域。目前，邑文科技自主研发的刻蚀机、去胶机、ALD、CVD等设备达到国内领先水平，2000ICP刻蚀设备获得江苏省首台套装备称号。

在本次大会期间，邑文科技也带来了2023年新品——第三代半导体八英寸薄膜刻蚀设备。由于SiC材料具备高硬度、高熔点、高密度等特性，在材料和芯片制备过程中，存在一些制造工艺的特殊性，需要对现有设备进行参数调整和部件优化。

邑文科技第三代半导体八英寸刻蚀设备

刘丹指出，邑文科技的第三代半导体刻蚀系列产品拥有诸多优势，包括：高精度自动化多腔传送平台ICP腔体设计，工艺灵活，支持多种定制化工艺；软件系统架构合理，操作简单便捷，反应腔工艺套件消耗及维护成本低；全波长OES系统，适用于各种材料的传送，整机模块化设计，腔体配置灵活等，可广泛应用于4英寸-12英寸硅基、第三代半导体等产线的刻蚀应用。

优势背后，源于邑文科技的提早布局。据了解，早在2013年，邑文科技开始对第三代半导体进行研究布局，2014年就与泰科天润及55所公司以碳化硅工艺开发为契机，进入碳化硅领域布局。长期以来，邑文科技借助原始成熟业务累计技术经验，积蓄科研力量，深耕第三代半导体、MEMS等特色工艺领域，推出了适用于包括碳化硅、氮化镓在内的第三代半导体材料的刻蚀设备，满足行业客户对工艺设备的要求。

众所周知，刻蚀设备作为半导体产线的核心装备之一，其结构复杂程度仅次于光刻机。

近年来，随着芯片工艺制程升级，光刻机受光波长限制，关键尺寸无法满足要求，必须采用多重模板工艺，利用刻蚀工艺实现更小的尺寸，使得刻蚀技术及相关设备的重要性进一步提升。研究机构Transparency Market Research不久前表示，2022年全球半导体蚀刻设备市场价值约为113亿美元，预计从2023年到2031年将以7.6%的复合年增长率增长，2031年达到217亿美元，市场空间广阔。

然而，刻蚀设备行业集中度高，行业壁垒显著。全球刻蚀机市场长期被泛林半导体、东京电子、应用材料等行业巨头占据。

但最近几年来，随着中微公司、北方华创的国内设备巨头的不断突破，以及包括邑文科技在内的新晋企业的持续发力，国内刻蚀设备企业在成熟制程，甚至是先进制程领域已有比较充分的技术积累和工艺经验，能够完成更大范围的国产替代，潜在市场份额更大。

同时，由于海外设备的供应风险，本土企业自主可控意识提升的情况下，国内晶圆厂将更依赖国产刻蚀设备，设备国产化率将持续走高，为国产刻蚀设备迈向高端提供了机遇。

另一方面，除了当前国产替代的时代机遇之外，刘丹向笔者表示，就近服务、客制化程度高以及差异化竞争和性价比高也是邑文科技与国外大厂竞争的关键优势所在。

此外，在人才培养方面，邑文科技以企业、高校、科研机构共建的联合实验室为核心依托，建立产学研相互优势整合的人才培养机制，为企业持续的技术创新提供研发新生力量。

诸多优势加持下，邑文科技不断创新发展，在自研技术方面实现了一系列突破。据了解，目前邑文科技已经申请了专利224件专利，拥有授权专利160件，获得了35件软件著作权。公司在审专利54项，其中发明专利50项，实用新型3项，PCT 1件。知识产权的基础为邑文科技打造自主知名品牌做了较好的铺垫。

未来，邑文科技将持续不断地研发自主知识产权技术，促进工艺提升，探索行业未来发展前沿技术，引领行业技术发展。

此外，在展览期间，场馆内还同步举办了半导体设备年会峰会及专题论坛，邀请到了一众产业界高管和学术界代表共同探讨当下半导体设备、核心部件以及材料亟待解决的问题，从宏观趋势到技术难点，全方位展现了半导体产业面临的机遇和挑战。同时也为业界搭建起一个技术交流、经贸洽谈、市场推广的友好平台，帮助产业各细分领域参展商与现场潜在客户实现深入交流及高效合作。

不难看到，以微导纳米、邑文科技为代表的无锡本土集成电路企业正在迸发出新的市场活力与发展潜力。

而无锡作为国内集成电路产业主要发源地之一，半个多世纪以来专注强“芯”，除了一批新晋企业之外，早已涌现出华润微电子、中科芯、长电科技、SK海力士、华虹无锡、海太半导体、中环领先、卓胜微等一大批在业界有影响力的龙头企业和单打冠军企业。

从产业链各环节来看，无锡是国内集成电路产业少有的涵盖研发设计、制造、封装测试、装备材料、支撑服务等环节的完整产业链的城市。

具体来看，无锡在设计业发展十分迅速，拥有一批掌握核心技术的上市企业，其中卓胜微是全省首家上市的设计企业，为国内射频芯片龙头企业；芯朋微、力芯微已在科创板上市；新洁能则在上证所主板上市。

制造业规模庞大，无锡晶圆制造业开创了国内代工先河，全省规模最大的10家晶圆制造企业有7家在无锡，分别为SK海力士、华润微、无锡华虹、海辰半导体、江阴新顺、中微晶圆、东晨电子。

同时，无锡在封装测试业的规模、技术水平均处于全国领先，江苏长电、全讯射频、海太半导体、盛合晶微等4家企业位居全省前十，其中江苏长电位居全国第一、全球第三。在核心技术攻关方面，无锡建有国家集成电路特色工艺及封装测试创新中心。

支撑业方面，无锡支撑配套业涵盖了集成电路专用装备、核心零部件以及原材料的众多门类，并在多个细分领域取得领先地位，如江阴地区的化学试剂业为全国第一；微导纳米、邑文科技等自主研发的薄膜沉积设备、刻蚀设备等达到国内领先水平。

据数据统计，2022年，无锡市集成电路产业规模达到2091亿元，同比增长15.2%。今年1-6月份，无锡市集成电路列统规上企业219家，实现产值1065.48亿元，同比增长9.5%。目前，无锡集成电路产业规模占全省1/2、全国1/8，龙头企业集聚发展，14家上市企业、34家国家级专精特新“小巨人”企业，超300家高新技术企业，预计2025年全市集成电路产业规模将超2800亿元。

回溯无锡集成电路产业的发展历程，从生产出中国第一块超大规模商用集成电路，到成为集成电路行业的“黄埔军校”，再到集成电路全产业链发展，每个步伐都标注着无锡“芯”的奋进与创新。

当然，集成电路产业集群的建设不是一蹴而就，丰硕成果的背后是无锡一直以来在产业生态构建、政策支持、招商引资等方面做出的不懈努力。

在产业生态方面，无锡先后获批国家集成电路设计产业化基地（全国共8家）、国家微电子高技术产业基地（全国共2家）、国家“芯火”双创基地（地级市唯一），致力于以高水平支撑体系为产业发展赋能。

目前无锡已建设国家级创新载体19个，省级公共服务平台60家；着力打造13个特色园区，持续推动产业集聚发展。同时，无锡创新创业人才云集，建设高端人才团队50个，汇聚“专精尖缺”各类产业人才达15万人。

政策方面，无锡在2016年首次出台集成电路专项政策，后续不断迭代升级，陆续制定出台了《关于加快建设具有国际影响力的集成电路地标产业的若干政策》、《无锡市集成电路产业集群发展三年行动计划（2023—2025年）》等系列政策，从支持产业发展壮大、企业创新发展、项目加快建设、人才引进培育、产业协同发展、产业环境提优等多方面制定了政策意见，着力注重集成电路产业发展的系统性、针对性和创新性。

同时，无锡也更加注重拿出“真金白银”，加大补贴力度。今年6月推出的新政将专项资金提高3倍，增至3亿元，将有力支撑无锡建设具有国际影响力和核心竞争力的集成电路地标产业集群，引领全产业链高质量发展。

在政策鼓励和营商环境的有力加持下，一系列重点项目也正在持续助推无锡集成电路攀升产业链高端。2023年，无锡握有华虹制造、中环领先二期、长电微电子微系统制造、盛合晶微三维多芯片封装等一批新建在建项目，全年总投资超1700亿元。

重大项目、龙头企业频频“加码”投资无锡，其背后逻辑不难分析，一方面与产业导向高度契合。近年来无锡市把集成电路产业作为战略性新兴产业重点发展，全方位提供产业“生态土壤”，为集成电路企业提供了发展的沃土，促成了“大树能扎根、小树可成长”的良好发展局面。

另一方面，自然也离不开无锡市各级政府提供的“无难事、悉心办”的营商环境。正如市长赵建军所言，对于集成电路这一“王牌”产业，无锡市致力于提供最优质的资源、最优惠的政策和最高效的服务，以“软实力”支撑“硬发展”，用“硬举措”保障“软实力”。

再结合到本次大会，遵循办好一个展，带活一条“链”的目标，2023集成电路（无锡）创新发展大会通过搭建“会展+产业+招商引资”会客厅平台，进一步为集成电路产业合作、商务洽谈、成果展示等提供了有效对接，带动产业链上下游协同创新，推动产业高质量发展，为全市、全省、全国集成电路产业注入“芯”动能。

“到2025年，力争建成具有国际影响力的集成电路地标产业集群”，这是无锡为自己定下的远景目标，更是无锡大力发展集成电路的决心和姿态。而这背后亦是无锡立足产业基础和技术创新优势的自信自强。

未来，无锡将推进“双中心”建设，支持国家集成电路特色工艺及封装测试创新中心做大做强的同时，加快在信创芯片生态圈、车规级芯片创新圈、高端功率半导体产业链、第三代半导体全产业链“两圈两链”领域的快速布局，精准发力。

同时，将持续深化设计企业与制造企业、材料装备与制造企业、本地零部件中小企业与装备企业、资本与产业“四个对接”，推动集成电路产业链协同创新。

诸此种种，这些新的产业政策、布局和目标推动着未来无锡集成电路产业迎来新发展浪潮。