2023年的NAND：层数增加，QLC 进步

对于 NAND 闪存存储来说，这是过山车般的一年，随着周期性衰退的逆转，出货量先是下降，然后又恢复。供应商通过扩展 3D 层数和使用 QLC 闪存来提高成本效益，但 PLC 和其他极端的每单元位数令人失望。

今年伊始，NAND 制造商因供应过剩而需求疲软而收入低迷。他们削减了产量，然后随着客户用完现有库存，需求再次开始上升。

NAND 代工厂运营商通过在 3D NAND 中使用更多层来构建更高容量的芯片，从而降低了每 GB 美元的生产成本。我们看到层数在这一年中稳步增加，从 218 层开始。

• 3月：SK海力士在会议上发表>300层NAND论文，Kioxia和西部数据有218层NAND

• 5 月：美光打造 232 层 QLC SSD

• 8月：SK海力士推出321层NAND，三星推出300层NAND，之后将推出430层

• 11月：长江存储率先出货232层QLC NAND

• 12 月：美光推出 232 层工作站 SSD

所有供应商都开始单独制造 NAND 控制逻辑并将其添加到芯片的底部或顶部。

标准SSD使用TLC（3位/单元）闪存，但SK海力士子公司Solidigm和YMTC等供应商  专注于提供QLC（4位/单元）NAND，并通过超额配置和更好的写入周期来补偿其较低的写入周期耐久性管理。

DDN、NetApp 和 VAST Data 等存储阵列供应商利用 QLC 闪存以更低的每 TB 成本提供更高的全闪存阵列容量，从而能够更好地与磁盘驱动器阵列竞争。

继2022 年尝试之后，今年没有供应商发布有关五级单元（5 位/单元）及以后的公告。这些层数似乎完全不切实际，因为 6 层和 7 层技术需要低温冷却，并且写入耐久性和读取速度都会越来越低。

SSD 容量在这一年中有所增长，超过了磁盘驱动器容量，其中 Solidigm 处于领先地位。它推出了采用QLC闪存的61.44TB容量SSD D5-P5336。其他 SSD 供应商提供的驱动器最大容量约为 30 TB。这些仍然比磁盘驱动器大，到年底，磁盘驱动器采用传统记录技术达到 24 TB，采用较慢写入叠瓦记录技术达到 28 TB（由 Western Digital 提供）。今年我们可能会看到来自其他供应商以及 Solidigm 的 60+ TB SSD。

EDSFF 外形尺寸开始出现，但还没有达到淘汰经典 M.2（口香糖）和 U.2（2.5 英寸托架）的程度。

闪存行业的一则消息并未发生，那就是西部数据收购或合并了其 NAND 合资伙伴 Kioxia。铠侠通过贝恩财团的投资者 SK 海力士因反对而打消了这个想法。

西部数据今年计划将其磁盘驱动器和 NAND 晶圆厂/SSD 业务分开。 

中国长江存储今年成功生产出232层NAND，这令人惊讶。西部数据和铠侠两家公司目前的 BiCS 8 技术都达到了 218 层的水平。但这三个供应商落后于美光、三星和SK海力士。我们还预计 Kioxia 和西部数据今年将宣布 BiCS 9 NAND 计划并达到 300 层水平。

今天是《半导体行业观察》为您分享的第3644期内容，欢迎关注。

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