SK海力士掀开科技新局面：全球首款HBM3 DRAM芯片横空出世！
作者：芯光猫
排版：果茶卷兮
出品：SOlab
深度好文，1387字=5分钟阅读
4月20日，SK海力士官网宣布，再次超越了现有最高性能DRAM（内存）——HBM31的技术界限，全球首次实现垂直堆叠12个单品DRAM芯片，成功开发出最高容量24GB的HBM3 DRAM新产品，并正在接受客户公司的性能验证。
HBM3概念图，图源：百度
霸气官宣
SK海力士认为，随着人工智能聊天机器人（AI Chatbot）产业的发展，高端存储器需求也随之增长，本次新品容量较上一代HBM3 DRAM提升50%。
HBM（高带宽内存，High Bandwidth Memory）是一种基于3D堆叠工艺的DRAM内存芯片，与传统的DRAM产品相比能显著提升数据处理速度。
HBM DRAM产品以HBM（第一代）、HBM2（第二代）、HBM2E（第三代）、HBM3（第四代）的顺序开发。SK海力士表示，将在今年上半年内完成量产准备，以“巩固AI时代尖端DRAM市场的主导权”。
现有HBM3 DRAM的最大容量是垂直堆叠8个单品DRAM芯片的16GB。SK海力士于2021年10月宣布成功开发出容量为16GB的HBM3 DRAM，2022年6月初即宣布量产。
海力士公司，图源：百度
低调的巨头
Hynix 海力士芯片生产商，源于韩国品牌英文缩写"HY"。海力士即原现代内存，2001年更名为海力士。海力士半导体是世界第三大DRAM制造商，也在整个半导体公司中占第九位。
海力士半导体在1983年以现代电子产业有限公司成立；
1996年正式在韩国上市；
1999年收购LG半导体；
2001年将公司名称改为(株)海力士半导体,从现代集团分离出来。
2004年10月将系统IC业务出售给花旗集团，成为专业的存储器制造商。
2012年2月，韩国第三大财阀SK集团宣布收购海力士21.05%的股份从而入主这家内存大厂。
2019年9月5日，SK海力士设在中国无锡的半导体工厂已经完全使用中国生产的氟化氢取代了日本产品。
2022年8月，媒体报道，海力士计划在美国新建先进芯片封装厂。
2022年10月27日，海力士同意加入开放创新平台 3D Fabric 联盟，推动 3D 半导体发展。
LG电子，图源：百度
团队面临挑战
三星、SK、LG 等韩国大企业集团，在年底通常都会对组织架构进行调整，旗下公司的高管也进行相应的调整，以更好的适应市场形势，推动公司的发展。
2022年12月27日，SK 海力士就进行了架构调整，团队数量在最近一次的调整中大幅减少，并任命年轻的管理者出任团队领导者。SK 海力士将团队数量削减了 20%-30%，例如此前需要 5 个团队的业务，已经削减到了 4 个。
在管理层方面，他们新提拔了多位 30-40 岁的年轻管理者出任团队的领导。对于年龄较大的领导者，SK 海力士在此次的调整中也提供了退休补偿，但大部分拒绝了公司的补偿。
SK 海力士在组织架构调整中削减团队数量，并调整管理层，反映了当前全球半导体市场的不利局面。
三星公司，图源：百度
寻找新的突围
ChatGPT发展带动第三代HBM报价大涨，2023年开年后三星、SK海力士两家存储大厂HBM订单快速增加，价格也水涨船高。
SK海力士副会长朴正浩此前指出，随着ChatGPT等应用开启AI新时代，加上相关技术演进，预计全球数据生成、储存、处理量将呈等比级数增长，而在技术演进的路上，HBM扮演着重要角色。
中信证券指出，AIGC对于AI服务器需求大增，配套GPU的GDDR和HBM显存需求有望成为DDR和LPDDR之后新的内存增长领域。
SK海力士副会长朴正浩，图源：百度
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