三大先进晶圆厂，决战2nm

据台湾集邦咨询报道，台积电、三星、英特尔等尖端制程代工厂纷纷发布2nm及以上制程路线图，凸显下一代GAA技术领先地位的开发竞争加速。

关于产业龙头台积电，集邦科技将于2024年第二季开始在台湾新竹科学园区宝山地区（新竹县宝山乡）的工厂安装量产2纳米（N2）制程的制造设备。). 计划于2025年第四季度开始量产，月产量约为30,000片晶圆（300mm晶圆）。此外，新指定为2nm量产基地的高雄工厂，将于2026年（即N2开始量产一年后）开始量产HPC用背面供电技术的“N2P”。。顺便说一句，与传统技术相比，背面供电技术据称可提高速度10%至12%，逻辑密度提高10%至15%。

台积电似乎也计划在台湾北部（桃园）的龙潭科学园区建立一座2纳米及以上的尖端半导体工厂（也许是为了增加2纳米或1.4纳米的产量？），但这一计划遭到了来自台湾的反对。当地居民。看来施工已经被放弃了。10月17日，台湾多家媒体同时报道。新工厂原定建在台湾政府科学园区管理局为科技园区第三期扩建而征用的土地上，但许多当地居民被要求离开，以便为工厂扩建让路。由于遭到公众强烈反对，这个想法不得不被放弃。细节尚未透露，但暂时计划在两家工厂量产2nm产品，放弃本次拿地不会影响公司2nm工艺产品的生产。

另一方面，英特尔正在从 FinFET 快速发展到基于环栅 (GAA) FET 的 MBCFET 和 BSPDN（背面供电网络）技术。该公司制定了“四年内实现五个技术节点”的快速小型化目标，并计划在2024年赶上并超越其他公司（见图2）。英特尔计划于2024年上半年开始生产采用基于GAA技术的RibbonFET晶体管架构的英特尔20A工艺，并宣布计划将生产转移到其衍生的英特尔18A工艺。

该公司目前正在其爱尔兰工厂量产Intel 4工艺，但尚不清楚该公司是否拥有足够的EUV曝光设备，该公司是否能够按计划维持其路线图还有待观察。此外，该公司计划领先于其他公司推出针对2纳米左右制程的高NA（NA=0.55）的EUV曝光设备，但高NA EUV曝光设备也已如期推出，目前尚不清楚。它将投入实际使用。

三星的代工业务先于其他公司采用了 3nm 工艺的 GAA 架构，但似乎正面临良率低等问题。该公司计划于2025年开始采用2nm工艺量产，并计划于2027年开始采用1.4nm工艺量产。台积电和英特尔计划从2nm工艺开始采用GAA架构，但较早引入GAA的三星如果能利用其在2nm的经验，将获得先发优势，提供比其他公司更高的良率并赢得市场。.还有可能提高你的地位。

此外，主要受到美国对中国半导体法规影响的中芯国际已暂停其小型化计划。这是因为ASML的EUV光刻设备尚未可用，但他们似乎已经利用现有的ArF浸没式光刻设备实现了使用多重图案化的7nm工艺，并且也有传言要达到5nm工艺。此外，日本Rapidus计划在合作伙伴IBM和imec的合作下，于2027年底在日本开始量产2nm工艺，但未来的路线图仍在进行中，直到2nm工艺推出为止。可见，因为它不可见。此外，台积电和三星还制定了2027年将1.4纳米作为尖端工艺应用于量产的路线图。

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