美国旨在打压中国芯片，在华外企将被豁免

路透社早前报道称，美国正在考虑限制美国芯片制造设备向中国的存储芯片制造商出口，这是阻止中国半导体行业进步和保护美国公司的努力的一部分。

不过现在，据消息人士透露，拜登政府计划让SK海力士(SK Hynix)和三星(Samsung)免受中国对存储芯片制造商的新限制的冲击，这些限制旨在挫败中国的技术野心，阻止其军事进步。

韩国三星(Samsung)在中国陕西省有一家生产NAND闪存芯片的工厂。韩国竞争对手SK海力士(SK Hynix)已收购英特尔位于大连的NAND闪存芯片制造业务，并在另一家中国工厂生产DRAM芯片。

据咨询公司Yole Intelligence的Walt Coon说，SK海力士25%的NAND晶圆生产和三星38%的NAND晶圆生产在中国，SK海力士约50%的DRAM生产在中国。

消息人士称，美国商务部计划本周发布新的对华技术出口限制措施，可能会拒绝美国供应商向等生产先进DRAM或闪存芯片的中国公司发送设备的请求。

不过，消息人士称，向在华制造先进存储芯片的外国公司出售设备的许可申请将逐案审查，可能允许它们获得设备。

“目标不是伤害非本土公司，”一名知情人士表示。

白宫和商务部拒绝置评。SK海力士、三星电子等均未回应置评请求。

周四，中国驻华盛顿大使馆将即将出台的规定称为“科技霸权”。它指责美国利用其“技术实力……阻碍和压制新兴市场国家和发展中国家的发展。”

此举可能缓解韩国存储芯片制造商最严重的担忧，即美国可能阻碍其在中国的制造业务，以阻止中国存储芯片厂商的崛起，保护脆弱的美国存储芯片制造商。

不过，它们仍担心，这种逐案审查标准远未明确为将美国设备运往它们的中国工厂开绿灯，可能会导致它们与监管机构就批准哪些发货发生争吵。

中国存储芯片制造商所面临的一些新规定的细节此前没有报道过。

新的限制措施针对的是中国的DRAM芯片和NAND芯片生产商。DRAM芯片在系统使用时保存来自应用程序的信息，NAND芯片用于数据和文件存储。

消息人士称，向中国半导体企业运送设备的美国供应商如果向生产18纳米以上DRAM芯片、128层以下NAND Flash芯片或14纳米以上逻辑芯片的企业出售设备，则无需向商务部申请许可证。

然而，向生产18纳米及以下DRAM芯片、128层及以上NAND闪存芯片或14纳米以下逻辑芯片的中国本土芯片制造商出售尖端技术的美国公司，将必须申请许可证，并将以严格的"推定拒绝"标准进行审查。

消息人士补充称，美国供应商若向在华经营、生产同类芯片的非中国企业出售设备，也将面临许可证要求，但申请将逐案审查。

据出口管制专家说，如果这些规定如预期的那样公布，将标志着美国首次通过出口管制来针对中国生产的不具有特殊军事用途的存储芯片，这代表着美国对国家安全的一种更广泛的看法。

他们还将打击中国新兴的NAND芯片制造商。白宫在2021年6月的一份报告中表示，他们的扩张和低价产品对美国美光科技公司和西部数据公司构成了“直接威胁”。

美国商务部已经在调查中国的NAND芯片厂商是否违反了美国的出口管制。苹果公司正在对其芯片进行评估，以用于在中国销售的部分iphone，这是美国议员和拜登政府的一个主要担忧。

路透社上个月还报道称，拜登政府计划在 10 月扩大对美国向中国出口用于人工智能和芯片制造工具的半导体的限制。

同时，美国主要芯片设备供应商LAM Research Corp、Applied Materials Inc和KLA Corp可能会受到这些限制措施的打击。LAM和应用材料均未回应记者的置评请求。KLA Corp拒绝置评。

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