天岳先进：碳化硅衬底领导者，导电型衬底发力上半年业绩增长超170%

8月29日晚，天岳先进（688234.SH）发布半年度业绩报告，报告显示，2023年上半年，公司实现营业收入约4.38亿元，同比增长172.38%，已经超过去年全年收入。更值得关注的是，在与英飞凌、博世等知名国际客户签订长期合约后，天岳先进于8月再度斩获新订单，并且公司上海工厂5月实现交付，两相结合，为天岳先进未来长期快速发展注入了强劲动能。

碳化硅衬底领先者，下游需求旺盛业绩稳增

常见的半导体材料包括硅（Si）、锗（Ge）等元素半导体及砷化镓（GaAs）、 碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等化合物半导体材料。其中硅和锗等元素半导体被称为第一代半导体材料，以砷化镓为代表的半导体材料被称为第二代，以碳化硅、氮化镓为代表的宽禁带半导体材料则被称为第三代。

相较于前两代，第三代半导体材料具备禁带宽度大、热导率高、临界击穿场强高、电子饱和漂移速率高等特点，可有效突破传统硅基半导体器件及其材料的物理极限，开发出更适应高压、高温、高功率、高频等条件的新一代半导体器件。

天岳先进是国内最早从事碳化硅半导体材料产业化的企业之一，公司主营碳化硅衬底的研发、生产和销售，产品包括半绝缘型衬底和导电型衬底，其中半绝缘型衬底为公司优势产品，据Yole 统计，公司绝缘型衬底市占率约30%，仅次于全球龙头Wolfspeed 、II-VI。

作为半导体器件的支持基底，碳化硅衬底在电动汽车、新能源等领域的应用日益广泛，伴随着相关终端市场需求的快速增长，行业对碳化硅衬底需求呈现出持续旺盛的趋势，天岳先进半绝缘型衬底收入规模因此持续增长。

另一方面，天岳先进也在积极扩大导电型衬底产能，导电型衬底作为碳化硅功率器件的核心原材料（占成本~50%）占据产业链制高点，市场需求广阔但有效供给较稀缺。通过对产品结构的调整，天岳先进导电型产品产销量提升取得了积极进展，公司已成为国际上少数几家同时在导电型和半绝缘型碳化硅衬底产品领域均具有竞争力的企业。产品结构的调整进一步提振公司业绩，自去年二季度以来，天岳先进已连续五个季度实现营业收入环比增长。

加码研发成果显著，技术实力获国际巨头认可

作为一家以技术为主导的第三代半导体材料公司，技术创新是天岳先进最核心的竞争力。公司拥有深厚的研发底蕴，同时也在不断加大研发投入，稳固在国内碳化硅衬底的领先地位。

天岳先进董事长宗艳民及首席技术官高超都是享受国务院特殊津贴专家，在他们的带领下，天岳先进先后攻克了原料提纯、碳化硅材料生长及缺陷控制、衬底加工等一系列难题，掌握了碳化硅半导体材料产业化核心关键技术，实现 2-8英寸宽禁带半导体材料研发或产业化，推进公司发展的同时为国产第三代半导体产业建设贡献了重要力量。

随着碳化硅衬底的不断突破，天岳先进近年来研发投入不断增加，今年上半年，公司继续加大前沿技术布局，研发投入达到8,980.84 万元，较去年同期增长69.02%。

得益于在技术上的不断钻研，公司研发与规模化生产形成了良好的正循环积累，一方面，公司工程化试验数据为技术和良率的持续改进提供了关键支持，也是产品质量领先的关键因素；另一方面，公司在前瞻性技术发展方向做了全方位布局，较早开展了8英寸产品制备。

大尺寸是碳化硅衬底制备技术的重要发展方向，衬底尺寸越大，单位衬底可制造的芯片数量越多，单位芯片成本越低。衬底的尺寸越大，边缘的浪费就越小，有利于进一步降低芯片的成本。

当前业内公司主要量产产品尺寸集中在 4 英寸及 6 英寸，但头部企业已经开始集中攻克8英寸技术。2022年初，天岳先进公布了自主扩径制备的高品质8英寸衬底，今年6月，公司首席技术官高超博士在SEMICON论坛上，公开了公司已采用液相法制备出了低缺陷的8英寸晶体，通过热场、溶液设计和工艺创新突破了碳化硅单晶高质量生长界面控制和缺陷控制难题，尚属业内首创，也代表了公司领先的技术实力。上半年，公司8英寸产品已开展客户送样验证，并实现了小批量销售，预期产销规模将持续扩大。

在开展技术创新的同时，天岳先进也在积极推动知识产权保护和商业秘密保护。上半年，公司新申请专利15项，截至2023年6月底，公司已累计获得境内发明专利授权152项，实用新型专利授权324项，境外发明专利授权12项，公司因此被授予山东省新材料领军企业，济南市优秀企业等荣誉称号。

得益于过硬的技术实力，天岳先进获得了国内外众多客户的信赖，并且逐步打入国际市场，先后与英飞凌、博世等等国际知名客户签订长期合约，在电力电子、汽车电子领域开展了广泛合作。

根据英飞凌的公开介绍，天岳先进将为其供应用于制造碳化硅半导体的高质量并且有竞争力的6英寸碳化硅衬底，第一阶段将侧重于6英寸碳化硅材料，但天岳先进也将助力英飞凌向8英寸碳化硅晶圆过渡。该协议的供应量预计将占到英飞凌长期需求量的两位数份额。

而就在最近，天岳先进又与某客户签订了一份框架采购协议，约定2024年至2026年向其销售碳化硅产品，预计含税销售三年合计金额为80480.00万元，其中包括预付款1亿元，多份长期大单将为公司长期健康发展带来更多确定性。

市场驱动SiC持续放量，完善产能布局巩固领先地位

近年来，在政策与市场的双重推动下，工业控制、智能电网、风力发电、航空航天、电动汽车、5G 基站、卫星通信等碳化硅主要的应用领域正处于迅速成长阶段，进而带动了碳化硅器件市场规模保持高速增长。

从市场规模来看，根据Yole数据预测，全球碳化硅功率器件市场规模将由2021年的10.90亿美元增长至2027年的62.97亿美元，期间年复合增长率为34%。按碳化硅衬底应用细分领域划分，应用市场最大的是智能汽车领域，预计将由2021年的6.85亿美元增长至2027年的49.86亿美元，期间年复合增长率为39.2%，同时也是增速最快的细分领域。

为应对即将到来的订单潮，国际上主要的碳化硅芯片供应商都在积极扩产。

英飞凌去年投下20亿欧元，计划在马来西亚扩展宽禁带半导体的产能，包括碳化硅和氮化镓；5月，安森美高管表示，正考虑投资20亿美元增加碳化硅芯片的产量；6月，Wolfspeed获得20亿美元融资，计划用于扩建在美国已有的两个碳化硅晶圆生产设施；另外，博世、德国晶圆代工厂X-FAB、SK集团近期也宣布了碳化硅相关业务进展。

为了更好地满足下游客户的需求，保障长期订单的交付，天岳先进也在积极优化产能布局。目前公司已形成山东济南、上海临港、山东济宁碳化硅半导体材料生产基地。5月，公司新建的上海临港智慧工厂开启了产品交付，目前正处于产量的持续爬坡阶段。交付仪式举行当天，博世集团和英飞凌公司代表，以及来自法国、新加坡、台湾地区等国内外客户出席仪式并参观了新工厂。天岳先进表示，根据目前在手订单及合作客户需求情况预计，临港工厂第一阶段年 30 万片导电型衬底的产能产量将提前实现，上海临港工厂将成为公司导电型碳化硅衬底主要生产基地。

截至目前，临港工厂尚未达产，临港工厂的产量对公司2023年上半年的营收贡献有限，而临港工厂产量在2023年三、四季度将持续提升，这对公司全年的业绩具有较强的支撑。此外，公司正在日本设立研发及销售中心，致力于积极开拓海外市场。

总体来看，天岳先进作为国内最早同时布局导电型碳化硅衬底和半绝缘型碳化硅衬底产品的企业之一，在碳化硅衬底技术研发和产业化生产方面具有领先优势。未来随着产能的完善布局，在下游需求的催化下，公司将有望打开新的盈利空间，迎来长期持续增长的发展机会。